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二维原子忆阻：筛约 2900 层，找出 17 个候选

非易失二维电阻开关一直卡在 MoS₂、h-BN 几样。DFT 加机器学习分子动力学和量子输运，筛出约 2900 个可剥离单层里 17 个热稳候选，其中一类是反转开关。

材料AI 生成

原子忆阻（atomristor）用二维单层做非易失电阻开关，省电存储和神经形态计算都看上它，但材料名单长期停在 MoS₂、h-BN。Mitra、Kabiraj、Chen 等人搭高通量框架：密度泛函、机器学习分子动力学和量子输运，筛了约 2900 个可剥离单层的空位介导电阻开关，找出 17 个热稳候选，分两类机制。

第一类如 GaS：金吸附在本征空位上引入导电态，绝缘单层从高阻切到低阻。第二类是离子键金属氧卤／氮卤如 BiOCl，摘要称此前未报的反转开关：空位放出的电子退局域，把费米能级推进导带，器件本征落在低阻；金吸附再把载流子局域回去，费米能级回到带隙，低阻切回高阻。量子输运确认两类机制；迁移势垒计算把电极—二维间距标成管金迁移和电阻窗口的关键参数。预印本，未经同行评审。没有湿法器件数据。

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